东芝开发新一代内存降低三分之一CPU功耗

【日本新闻】东芝今天对外发表消息称，为降低智能机及平板电脑的功耗，该企业开发出了一种低功耗的新闪存介质——自旋转移矩磁阻RAM（简称STT-MRAM），今后东芝将加快此介质在实际应用方面的研发速度。

随着电子产品技术日新月异，智能机和平板电脑等数码设备已经成为我们居家旅行消遣娱乐所不可欠缺之物。但智能机性能越高，耗电量也越大一直是令人们头疼的问题。对此，厂商开发新的电路元件则成了首要任务。

STT-MRAM是一种磁性随机存储器，也叫自旋转移矩磁阻存储记忆体，是一种非易失性储存，其架构与传统MRAM相同，但耗电量更少，具备速度极快和耗电量低的优点，具备更好的存储密度拓展空间和信息保存能力。未来可望成为补充或者替代DRAM的产品之一。

STT-MRAM属于第2代MRAM技术,据说能够解决传统MRAM结构所存在的一些问题,STT-MRAM是众多竞相成为下一代通用存储器技术的方案之一，通用存储器是指下一代平台，能够满足各种不同应用的需求，并取代目前所使用的DRAM、SRAM和快闪存储器元件。而STT-MRAM另一特点就是断电之后内存中的数据不会丢失，这也是传统内存所无法企及的一大亮点。

目前已有多家半导体厂商将投入MRAM芯片生产，包括东芝、hynix、Everspin、Grandis、Crocus，而三星也表示2015开始生产。