NTT首次成功开发超过100比特的光RAM

英国杂志《Nature Photonics》日前报道，NTT于世界首次成功开发出超过100比特的光random access memory（RAM）。此技术不仅成为正式大规模实现光内存迈出的第一步，同时有望为大幅息通信节约能耗做贡献。

NTT成功将超小型的光存储器集成于芯片内。开发方为NTT的物性科学基础研究所（NPC、神奈川厚木市）。参与了开发的纳富雅也高级特别研究员表示：“未来将目标研制出KB单位的光存储器，将其应用于回转器或是数据中心复杂的网络处理。”该公司表示此项技术目标在10至15年内完成。

RAM一般由以晶体管为基础所制成的半导体构成。在处理电子信号过程中所消耗的能量与发热，有随着需要处理的信息量增加、处理速度的增长而增加的倾向。由于随着规模扩大所需要消耗的额外电力，成为了考虑环境问题时信息处理技术中一大课题。

因此研究者们开始不只依靠电子信号，着手于将光存储器利用于信息处理技术。据估算，如果把光存储器应用于现今的回转器，电力消耗将仅为如今的百分之一。（日本通编译，转载请附原文链接）